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背景介绍作为重要的二维半导体材料，常山硒化铟（InSe）具有高达1×103 cm2V-1s-1的室温电子迁移率，常山及超宽的光谱响应范围（从体相减薄至单层，带隙值可增加1.0eV）等特点，因而在电子和光电子器件，如场效应晶体管、光电探测和影像传感等领域有重要应用价值。

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